NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16C4-JRI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology e NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
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NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16A4-GZ | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,50 | $75,58 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| Tensão de alimentação | 1.2V | 1.2 V |
| Frequência máxima de clock | 1200 MHz | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Encapsulamento | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Faixa de temperatura de operação | Commercial and Industrial | -40°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Taxa de dados | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |