NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16C4-JRI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16A4-GZ par Nanya Technology et NT5AD512M16C4-JRI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16A4-GZ | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,50 | $75,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| Fréquence d'horloge maximale | 1200 MHz | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Boîtier | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Plage de température de fonctionnement | Commercial and Industrial | -40°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Débit de données | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |