NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16C4-JRI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16A4-GZ von Nanya Technology und NT5AD512M16C4-JRI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16A4-GZ | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,50 | $75,58 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| Maximale Taktfrequenz | 1200 MHz | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Betriebstemperaturbereich | Commercial and Industrial | -40°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Datenrate | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |