TBD62503AFNG vs ULN2003ADR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TBD62503AFNG por Toshiba e ULN2003ADR por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro TBD62503AFNG ULN2003ADR
Marca Toshiba Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,16
Number of Channels 7 7
Channel Type Sink-type (low-side switch) —
Output Device N-channel DMOS open-drain —
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Output Current (per channel) 300 mA —
Peak Output Current 500 mA —
Maximum Clamping Diode Voltage 50 V —
Logic Input Compatibility 3V CMOS / TTL —
On-Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] —
Input Voltage (Vin) 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +85 C -40 C to +70 C
Encapsulamento SSOP-16 SOIC-16 (D)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant
Process Technology Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic —
Tipo de transistor — 7 NPN Darlington Array
Collector Current (Single Output, Max) — 500 mA
Collector-Emitter Voltage (Max) — 50 V
Output Breakdown Voltage (Min) — 50 V
Input Type — Logic-level compatible (TTL/CMOS)
Series Base Resistor — 2.7 kOhm
Configuração de saída — Open-collector, common emitter
Clamp Diodes — Integrated common-cathode flyback diodes
DC Input Voltage (Min) — [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage]
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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