TBD62503AFNG vs ULN2003ADR 비교
다음의 상세 나란히 비교: TBD62503AFNG 제조: Toshiba 및 ULN2003ADR 제조: Texas Instruments. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | TBD62503AFNG | ULN2003ADR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Toshiba | Texas Instruments |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Transistors |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.49 | $0.16 |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Channel Type | Sink-type (low-side switch) | — |
| Output Device | N-channel DMOS open-drain | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Output Current (per channel) | 300 mA | — |
| Peak Output Current | 500 mA | — |
| Maximum Clamping Diode Voltage | 50 V | — |
| Logic Input Compatibility | 3V CMOS / TTL | — |
| On-Resistance (Ron) | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] | — |
| Input Voltage (Vin) | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) | — |
| 동작 온도 범위 | -40 C to +85 C | -40 C to +70 C |
| 패키지 | SSOP-16 | SOIC-16 (D) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS 상태 | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Process Technology | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic | — |
| 트랜지스터 유형 | — | 7 NPN Darlington Array |
| Collector Current (Single Output, Max) | — | 500 mA |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | — | 50 V |
| Output Breakdown Voltage (Min) | — | 50 V |
| Input Type | — | Logic-level compatible (TTL/CMOS) |
| Series Base Resistor | — | 2.7 kOhm |
| 출력 구성 | — | Open-collector, common emitter |
| Clamp Diodes | — | Integrated common-cathode flyback diodes |
| DC Input Voltage (Min) | — | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] |
| Lead-Free | — | Yes |