TBD62503AFNG vs ULN2003ADR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TBD62503AFNG par Toshiba et ULN2003ADR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre TBD62503AFNG ULN2003ADR
Marque Toshiba Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,16
Number of Channels 7 7
Channel Type Sink-type (low-side switch) —
Output Device N-channel DMOS open-drain —
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Output Current (per channel) 300 mA —
Peak Output Current 500 mA —
Maximum Clamping Diode Voltage 50 V —
Logic Input Compatibility 3V CMOS / TTL —
On-Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] —
Input Voltage (Vin) 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +85 C -40 C to +70 C
Boîtier SSOP-16 SOIC-16 (D)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant
Process Technology Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic —
Type de transistor — 7 NPN Darlington Array
Collector Current (Single Output, Max) — 500 mA
Collector-Emitter Voltage (Max) — 50 V
Output Breakdown Voltage (Min) — 50 V
Input Type — Logic-level compatible (TTL/CMOS)
Series Base Resistor — 2.7 kOhm
Configuration de sortie — Open-collector, common emitter
Clamp Diodes — Integrated common-cathode flyback diodes
DC Input Voltage (Min) — [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage]
Lead-Free — Yes

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