UCC21550BDWR vs UCC21710QDWRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550BDWR por Texas Instruments e UCC21710QDWRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550BDWR UCC21710QDWRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $2,74
Configuração de saída Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW) wide-body
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Função — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q100
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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