EDB1332BDBH-1DAUT-F-D vs EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EDB1332BDBH-1DAUT-F-D от Micron Technology и EDB5432BEBH-1DAUT-F-D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Активен
Micron Technology
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D - 512Mb LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB5432BEBH-1DAUT-F-D
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,16 $2,45
Тип памяти SDRAM - Mobile LPDDR2 Mobile LPDDR2 SDRAM
Размер памяти 1 Gbit 512 Mbit
Организация памяти 32M x 32 16M x 32
Интерфейс Parallel Parallel
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Core Supply Voltage 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.95 V 1.14 V to 1.95 V
Access Mode Single Bank Page Burst —
Корпус 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Number of Terminals 134 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive Automotive
Package Shape Rectangular Rectangular
Packaging Suffix -D (Dry Pack) —
Moisture Sensitivity Dry Pack (per -D suffix) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Core Voltage — 1.2 V (typical, LPDDR2)
Terminals — 134 balls
Terminal Form — Ball (VFBGA)
RoHS Code — Yes (D suffix, lead-free)
Part Life Cycle Code — Active
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Standard Qty per Reel/Tray — [DATA_NEEDED: packaging standard quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену