H5TC4G63CFR-H9A vs K4B4G1646E-BYK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5TC4G63CFR-H9A от SK hynix и K4B4G1646E-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5TC4G63CFR-H9A | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Memory Density | 4Gb (4294967296 bit) | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Корпус | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Скорость передачи данных | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Differential Clock Inputs | Yes (CK, CK) | — |
| Differential Data Strobe | Yes (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM (Data Mask) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Напряжение питания | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |