H5TC4G63CFR-H9A vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-H9A | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Memory Density | 4Gb (4294967296 bit) | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V + 0.100 / - 0.067V | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Differential Clock Inputs | Yes (CK, CK) | — |
| Differential Data Strobe | Yes (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| DM (Data Mask) | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |