IKD04N60RATMA1 vs IKD10N60RC2ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IKD04N60RATMA1 от Infineon и IKD10N60RC2ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 - 600V 8A RC-Drives IGBT w/ Diode | Infineon

IKD04N60RATMA1 - 600V 8A RC-Drives IGBT w/ Diode | Infineon

IKD04N60RATMA1 ✓ Активен
Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IKD04N60RATMA1 IKD10N60RC2ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория IGBTs IGBTs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,92 $0,83
Manufacturer Infineon Technologies —
Series RC-Drives —
Тип транзистора IGBT - Trench Field Stop with integrated diode —
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C 8 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Gate-Emitter Voltage (VGES) [DATA_NEEDED: gate-emitter voltage rating] —
VCE(sat) at IC=4A, VGE=15V [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical at 4A] —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th)] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes —
Диапазон рабочих температур -40C to +150C -40 C to +175 C (junction)
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK, surface mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (2 leads + tab) —
Configuration Single —
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Technology Target Consumer drives / motor control —
Collector-Emitter Voltage (V_CE) — 600 V
Continuous Collector Current (I_C nom) — 10 A
Pulsed Collector Current (I_Cp) — 18.8 A
Maximum Power Dissipation (P_tot) — 79 W
Technology — TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode)
Integrated Diode — Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed
Gate-Emitter Voltage (V_GE) — [DATA_NEEDED: recommended V_GE value]
V_CE(sat) at I_C — [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)]
Switching Frequency (typical) — 10 - 30 kHz (hard-switching)
Short-Circuit Withstand Time — [DATA_NEEDED: t_sc rating]
Qualification — Industrial (qualified per Infineon product validation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену