IR2010SPBF vs IR2110SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2010SPBF от Infineon и IR2110SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2010SPBF IR2010SPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver 3A | Infineon

IR2010SPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver 3A | Infineon

IR2010SPBF ✓ Активен
Infineon
IR2110SPBF IR2110SPBF - 500V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2110SPBF - 500V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2110SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2010SPBF IR2110SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,20 $1,98
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) —
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
Рабочая температура -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
Корпус 16-SOIC (SOIC-16) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
Функция — Half-bridge gate driver
Топология — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
Диапазон рабочих температур — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену