IR2010SPBF vs IR2110SPBF 比較

詳細な並列比較: IR2010SPBF メーカー: Infineon および IR2110SPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IR2010SPBF IR2110SPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.20 $1.98
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) —
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
動作温度 -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
パッケージ 16-SOIC (SOIC-16) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
機能 — Half-bridge gate driver
トポロジー — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

データシート&リソース

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