IR2117SPBF vs IR2109SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2117SPBF от Infineon и IR2109SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2117SPBF IR2117SPBF - 600V High-Side Gate Driver IC, 8-SOIC | Infineon

IR2117SPBF - 600V High-Side Gate Driver IC, 8-SOIC | Infineon

IR2117SPBF ✓ Активен
Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2117SPBF IR2109SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,21 $1,05
Configuration Single high-side driver —
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
Корпус 8-SOIC (SOIC-8) SOIC-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -40C to +125C —
Статус RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Время нарастания — 200 ns
Время спада — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Рабочая температура перехода — -40 C to +150 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену