IR2117SPBF vs IR2109SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2117SPBF 제조: Infineon 및 IR2109SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2117SPBF IR2109SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.21 $1.05
Configuration Single high-side driver —
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
패키지 8-SOIC (SOIC-8) SOIC-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +125C —
RoHS 상태 Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
상승 시간 — 200 ns
하강 시간 — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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