IR2117SPBF vs IR2109SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2117SPBF tarafından Infineon ve IR2109SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2117SPBF IR2109SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Single high-side driver —
Driver Type High-side gate driver (non-inverting) —
Number of Drivers 1 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Output Current (Source, typ.) 0.25 A —
Output Current (Sink, typ.) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down —
Logic Input Polarity Non-inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Bootstrap Operation Yes (floating channel) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes —
Paket 8-SOIC (SOIC-8) SOIC-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
RoHS Durumu Compliant (PbF suffix) Compliant
Lead Finish Lead-free (PbF) —
Family IR2117 / IR2118 series —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Artış Süresi — 200 ns
Düşüş Süresi — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin