IRF1010ZPBF vs IRF3205ZSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF1010ZPBF от Infineon и IRF3205ZSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF - 55V 75A N-Channel MOSFET TO-220AB | Infineon

IRF1010ZPBF - 55V 75A N-Channel MOSFET TO-220AB | Infineon

IRF1010ZPBF ✓ Активен
Infineon
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF1010ZPBF IRF3205ZSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,36 $1,45
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) 76 nC
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Корпус TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263)
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated —
Статус RoHS Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (left reel)
Уровень MSL — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену