IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF9530NPBF от Infineon и IRF9530NSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ 200 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C —
Корпус TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263-3)
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
Total Gate Charge (Qg) — 38.7 nC (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Avalanche Rated — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену