IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9530NPBF par Infineon et IRF9530NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ 200 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263-3)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
Total Gate Charge (Qg) — 38.7 nC (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Avalanche Rated — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Fiches techniques et ressources

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