IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF9530NPBF por Infineon y IRF9530NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ 200 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263-3)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
Total Gate Charge (Qg) — 38.7 nC (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Avalanche Rated — [DATA_NEEDED: EAS rating]

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