IRFB3207ZPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFB3207ZPBF от Infineon и IPP069N20NM6AKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Активен
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFB3207ZPBF IPP069N20NM6AKSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $4,10
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A 136 A
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус TO-220AB (3-lead through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Уровень MSL N/A (through-hole) N/A (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tab Connection — Electrically connected to Drain

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену