IRFB3207ZPBF vs IRF3205ZSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFB3207ZPBF от Infineon и IRF3205ZSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Активен
Infineon
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF - 55V 110A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205ZSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFB3207ZPBF IRF3205ZSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm 6.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C -55C to +175C
Корпус TO-220AB (3-lead through-hole) D2PAK (TO-263)
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Уровень MSL N/A (through-hole) 1
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Packaging — Tape & Reel (left reel)
Статус RoHS — Compliant
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену