IRFZ44NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFZ44NSTRLPBF от Infineon и IRLZ34NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFZ44NSTRLPBF IRLZ34NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,93 $0,65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
Тип транзистора — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Уровень MSL — Not applicable (through-hole)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену