IRFZ44NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NSTRLPBF par Infineon et IRLZ34NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFZ44NSTRLPBF | IRLZ34NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,93 | $0,65 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | 16.7 nC (typical) |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263) | TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number Suffix | — | PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging |
| Type de transistor | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V | — | 35 mOhm |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | — | 68 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Niveau MSL | — | Not applicable (through-hole) |