IRFZ44NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFZ44NSTRLPBF 제조: Infineon 및 IRLZ34NPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFZ44NSTRLPBF IRLZ34NPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.93 $0.65
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 D2PAK (TO-263) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
실장 유형 Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
트랜지스터 유형 — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
MSL 레벨 — Not applicable (through-hole)

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