IRS2104STRPBF vs IR2117STRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRS2104STRPBF от Infineon и IR2117STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRS2104STRPBF | IR2117STRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,45 | $0,58 |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Топология | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) | — |
| Number of Channels | 2 (HS + LS, dependent) | — |
| High-Side Offset Voltage (VS) | -5 V to +600 V | — |
| Logic Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Sink Current (typ.) | 0.6 A | — |
| Propagation Delay (typ.) | 150 ns | — |
| Rise Time (typ.) | 35 ns | — |
| Fall Time (typ.) | 70 ns | — |
| Quiescent Current (typ.) | 150 uA | — |
| Undervoltage Protection | Yes (VCC and VBS UVLO) | — |
| Shutdown Pin | Yes (SD, active-low per typical usage) | — |
| Logic Input Compatibility | Standard CMOS / LSTTL | — |
| Рабочая температура перехода | -40C to +150C | — |
| Корпус | 8-Lead SOIC (SOIC-8) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 2 (1 year floor life per datasheet) | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification Level | Industrial | — |
| Статус RoHS | Compliant (PbF suffix) | Compliant |
| Configuration | — | High-Side Single Channel |
| Функция | — | Gate Driver, Non-Inverting |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS / TTL |
| Количество выходов | — | 1 |
| Driven Device | — | N-Channel MOSFET / IGBT |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Floating Channel Offset Voltage | — | up to +600 V |
| Peak Source Current (IOUT+) | — | 250 mA |
| Peak Sink Current (IOUT-) | — | 500 mA |
| Propagation Delay (Ton/Toff) | — | 125 ns (max) |
| Время нарастания | — | 80 ns (typ) |
| Время спада | — | 40 ns (typ) |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| Negative Transient Voltage Tolerance | — | Yes, dV/dt immune |
| Диапазон рабочих температур | — | -40 C to +125 C |
| Корпус / Типоразмер | — | 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) |
| Lead-Free | — | Yes |