IRS2104STRPBF vs IR2117STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2104STRPBF 제조: Infineon 및 IR2117STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2104STRPBF IR2117STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $0.58
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
토폴로지 Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
동작 접합 온도 -40C to +150C —
패키지 8-Lead SOIC (SOIC-8) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 2 (1 year floor life per datasheet) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Level Industrial —
RoHS 상태 Compliant (PbF suffix) Compliant
Configuration — High-Side Single Channel
기능 — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
출력 수 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
상승 시간 — 80 ns (typ)
하강 시간 — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes, dV/dt immune
동작 온도 범위 — -40 C to +125 C
패키지 / 케이스 — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)
Lead-Free — Yes

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