IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs MT41K128M16JT Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-125KBLI-TR от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и MT41K128M16JT от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Активен
Micron Technology
MT41K128M16JT MT41K128M16JT - 2Gb DDR3L SDRAM 128Mx16 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT - 2Gb DDR3L SDRAM 128Mx16 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IS43TR16256AL-125KBLI-TR MT41K128M16JT
Бренд ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,25 $9,20
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4Gbit (256M x 16) —
Разрядность шины данных 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Скорость передачи данных 1600 Mbps —
Задержка CAS 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35 V (typ) / 1.283 V to 1.45 V (DDR3L)
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (TC) —
Корпус 96-TWBGA (9x13 mm) 96-FBGA (8 mm x 14 mm, 0.8 mm pitch)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (FBGA)
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free FBGA)
Density — 2 Gbit
Организация памяти — 128M x 16
Banks — 8 banks
Prefetch Architecture — 8n-bit prefetch
Access Time — 0.225 ns (CK to DQ, -125 bin)
Cycle Time — 1.25 ns (-125 bin) / 1.07 ns (-107 bin)
Max Data Rate — 1600 MT/s (-125) / 1866 MT/s (-107)
Рабочая температура — 0C to +95C (commercial, no suffix)
Industrial Temperature Option — -40C to +95C (IT suffix)
Automotive Temperature Option — -40C to +105C (AAT) / -40C to +95C (AIT)
Process Technology — CMOS
On-Die Termination — Dynamic ODT (nominal/weak/strong)
Calibration — ZQ calibration (240 ohm ext. resistor)
Refresh — Auto self-refresh (ASR)
Write Feature — Write leveling + data mask

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену