ISC0703NLSATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC0703NLSATMA1 от Infineon и ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC0703NLSATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,51 $1,05
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) —
Корпус PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Статус RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 3.3 V at 36 µA
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену