ISC0703NLSATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC0703NLSATMA1 por Infineon e ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC0703NLSATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $1,05
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 3.3 V at 36 µA
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fichas técnicas e recursos

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