K3K8K80BM-JGCT vs K3KL8L80CM-MGCT Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K3K8K80BM-JGCT от Samsung Electronics и K3KL8L80CM-MGCT от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics

K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics

K3K8K80BM-JGCT ✓ Активен
Samsung Electronics
K3KL8L80CM-MGCT K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K3K8K80BM-JGCT K3KL8L80CM-MGCT
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,10 $0,00
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K3K mobile DRAM (LPDDR) component series —
Тип памяти Low Power DRAM (LPDDR) component LPDDR5X SDRAM
Density [DATA_NEEDED: die density in Gb] 32 Gbit (4 GB)
Организация памяти [DATA_NEEDED: x8/x16 organization] x32
Интерфейс [DATA_NEEDED: LPDDR4X or LPDDR5] LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension)
Maximum Data Rate [DATA_NEEDED: Mbps] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: core supply voltage] —
Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] —
Package Type FBGA (Ball Grid Array) —
Ball Count [DATA_NEEDED: package ball count] —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
Speed Grade Suffix J (per Samsung speed-grade coding) —
Packing Suffix CT (per Samsung packing-code convention) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] Compliant (per JLCPCB listing)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Max Data Rate — 7500 Mbps
Clock Frequency — 3750 MHz
Core Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 900 mV (500 mV low-power mode)
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
Корпус — 315-ball FBGA
Application Segment — Mobile, Automotive, On-device AI, PC
Power Efficiency — ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену