K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $13,78 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 2G x 4
Напряжение питания 1.2 V (nominal) —
Скорость передачи данных 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Тип интерфейса SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Интерфейс — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Refresh Cycles — 8192
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Рабочая температура — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену