K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G045WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A8G085WB-BCPB K4A8G045WB-BCRC
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $13.78 $2.95
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
메모리 구성 1G x 8 2G x 4
공급 전압 1.2 V (nominal) —
데이터 속도 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
인터페이스 유형 SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
패키지 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
인터페이스 — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Refresh Cycles — 8192
Maximum Supply Current — 211.7 mA
동작 온도 — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

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