K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G045WB-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G045WB-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung
K4A8G045WB-BCRC ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,78 | $2,95 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 2G x 4 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (nominal) | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Speed Grade | BC | — |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Tipo de interface | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| Interface | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Temperatura de operação | — | 0 C to 85 C |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |