K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC-BCPB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WC-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC-BCPB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Снято с производства
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $13,78 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Напряжение питания 1.2 V (nominal) 1.2 V
Скорость передачи данных 3200 Mbps (PC4-25600) 2133 Mbps
Speed Grade BC DDR4-2133
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Тип интерфейса SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Корпус 78-ball FBGA 78FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Рабочая температура — 0 C to +85 C
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Особенности — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену