K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC-BCPB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vidaComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Fim de vida |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,78 | $2,95 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (nominal) | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2133 Mbps |
| Speed Grade | BC | DDR4-2133 |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Tipo de interface | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Temperatura de operação | — | 0 C to +85 C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Recursos | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |