K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC-BCPB 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WC-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 단종

사양 비교

파라미터 K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC-BCPB
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $13.78 $2.95
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
공급 전압 1.2 V (nominal) 1.2 V
데이터 속도 3200 Mbps (PC4-25600) 2133 Mbps
Speed Grade BC DDR4-2133
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
인터페이스 유형 SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
패키지 78-ball FBGA 78FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
동작 온도 — 0 C to +85 C
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
특징 — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

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