K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G085WB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,80 $5,20
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
Рабочая температура 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус 78-ball FBGA 78-pin FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Тип монтажа — Surface Mount
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену