K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G085WB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,80 | $5,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-pin FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |