K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G085WB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,80 $5,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Taxa de dados 2400 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Temperatura de operação 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-pin FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Tipo de montagem — Surface Mount
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação