K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BICH от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BIRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BIRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,96 $6,56
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Напряжение питания 1.2V 1.2 V
Скорость передачи данных 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
Корпус 78-ball FBGA 78-FBGA
Рабочая температура 0°C to 85°C -40°C to 95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 8, 16
Задержка CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
Интерфейс — SSTL-12
Тип монтажа — Surface Mount

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену