K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BIRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BIRC
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,96 $6,56
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Tensão de alimentação 1.2V 1.2 V
Taxa de dados 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-FBGA
Temperatura de operação 0°C to 85°C -40°C to 95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 8, 16
Latência CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
Interface — SSTL-12
Tipo de montagem — Surface Mount

Fichas técnicas e recursos

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