K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIRC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BIRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BIRC
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,96 $6,56
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Tension d'alimentation 1.2V 1.2 V
Débit de données 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps
Boîtier 78-ball FBGA 78-FBGA
Température de fonctionnement 0°C to 85°C -40°C to 95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 8, 16
Latence CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
Interface — SSTL-12
Type de montage — Surface Mount

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis