K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics и K4A8G165WC-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $37,00 | $1,31 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Интерфейс | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Особенности | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |