K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics et K4A8G165WC-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,00 | $1,31 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Interface | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |