K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $37,00 | $1,31 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Datenrate | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Schnittstelle | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |