K4A8G165WC-BCWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCWE от Samsung Electronics и YZ48G16V-F9HPI-M от Loongtion. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WC-BCWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Loongtion |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $38,00 | $8,60 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Корпус | 96-FBGA | FBGA96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| Интерфейс | Differential (CK, /CK) | DDR4 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Число выводов | — | 96 |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Refresh | — | Auto-refresh |