K4A8G165WC-BCWE vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCWE par Samsung Electronics et YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Loongtion |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $38,00 | $8,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Boîtier | 96-FBGA | FBGA96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| Interface | Differential (CK, /CK) | DDR4 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Refresh | — | Auto-refresh |