K4A8G165WC-BCWE vs YZ48G16V-F9HPI-M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 YZ48G16V-F9HPI-M 제조: Loongtion. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Loongtion |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $38.00 | $8.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| 패키지 | 96-FBGA | FBGA96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| 인터페이스 | Differential (CK, /CK) | DDR4 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 핀 수 | — | 96 |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bits |
| Refresh | — | Auto-refresh |