K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RAH165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $44,55 | $9,92 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Размер памяти | 16 Gb | 16 Gb |
| Организация памяти | 2G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.1 V | 1.1 V |
| Интерфейс | DDR5 (parallel) | — |
| Корпус | FBGA-82 | FBGA-106 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | DDR5 |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Рабочая температура | Commercial temperature range (per datasheet) | 0C to +85C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |